[发明专利]包括有机、无机杂化钙钛矿化合物膜的器件的制备方法及包括有机、无机杂化钙钛矿化合物膜的器件有效
| 申请号： | 201680012990.8 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107431128B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 石相日;鲁俊洪;徐章源;全男中;金荣燦 | 申请（专利权）人： | 韩国化学研究院 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的具有有机、无机杂化钙钛矿化合物膜的器件的制备方法包括：步骤a)，层叠第一结构体和第二结构体，以使第一表面层和第二表面层相接触，所述第一结构体包括含有下述i～v)中的至少一种物质的第一表面层，所述第二结构体包括与第一表面层独立地包含下述i～v)中的至少一种物质的第二表面层；以及步骤b)，向层叠有第一结构体和第二结构体的层叠体施加热量以及物理力：i)有机、无机杂化钙钛矿化合物，ii)有机卤化物，iii)金属卤化物，iv)有机、无机杂化钙钛矿化合物前体物质，v)金属卤化物前体物质。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 有机 无机 杂化钙钛矿 化合物 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有有机、无机杂化钙钛矿化合物膜的器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤a)，层叠第一结构体和第二结构体，以使第一表面层和第二表面层相接触，所述第一结构体包括含有下述i～v)中的至少一种物质的第一表面层，所述第二结构体包括与第一表面层独立地包含下述i～v)中的至少一种物质的第二表面层；以及步骤b)，向层叠有第一结构体和第二结构体的层叠体施加热量以及物理力：i)有机、无机杂化钙钛矿化合物ii)有机卤化物iii)金属卤化物iv)有机、无机杂化钙钛矿化合物前体物质v)金属卤化物前体物质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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