[发明专利]用于循环与选择性材料移除与蚀刻的处理腔室有效
申请号: | 201680013408.X | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN107408486B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | T·Q·特兰;S·朴;J·金;D·卢博米尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/311;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 于此描述一种用于基板蚀刻的方法和设备。于此所述的处理腔室包括:源模块、处理模块、流动模块和排气模块。RF源可耦接至腔室,且远程等离子体可在源模块中产生且直接等离子体可在处理模块中产生。所描述的循环蚀刻处理可使用交替的自由基和直接等离子体以蚀刻基板。 | ||
搜索关键词: | 用于 循环 选择性 材料 蚀刻 处理 | ||
【主权项】:
一种处理腔室设备,包含:腔室本体,限定处理区域且经配置以在所述处理区域中产生直接等离子体;基板支撑组件,包含设置于所述处理区域内的静电夹盘;源模块,包含耦接至所述腔室本体的板堆栈,其中所述板堆栈进一步限定所述处理区域并经配置以在所述源模块中产生远程等离子体;流动模块,耦接至所述腔室本体;及排气模块,包含耦接到所述流动模块的对称的流量阀及对称的涡轮分子泵,其中所述腔室本体、所述源模块、所述流动模块和所述排气模块经配置以对称地处理基板。
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