[发明专利]光掩模坯、光掩模的制造方法和掩模图案形成方法

摘要

本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si‑Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。

主权项

光掩模坯，该光掩模坯用于制造在被转印物上使用波长200nm以下的曝光光形成图案的光刻中使用的透射型光掩模，其特征在于，具有：透明基板；第1膜，该第1膜在该透明基板上形成，由通过采用氯气和氧气的混合气体的氯氧系干蚀刻被蚀刻并且对采用含有氟的气体的氟系干蚀刻具有耐性的材料构成；第2膜，该第2膜与该第1膜相接地形成，由包含硅和氧、或者硅、氧和氮、并且对于将上述第1膜蚀刻的上述氯氧系干蚀刻而言基本上不被蚀刻的材料构成，该第2膜由具有Si‑Si键的材料构成。