[发明专利]用于制作基于第III族元素氮化物的钝化半导体结构的方法以及这样的结构有效
| 申请号： | 201680013729.X | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN107408492B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | F·西蒙德;E·傅雷斯奈特;J·迈西斯 | 申请（专利权）人： | 国家科研中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制作半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括沉积连续地覆盖基于第III族元素氮化物的层的整个表面的钝化结晶层的步骤(201)，所述钝化结晶层由含有硅原子和氮原子流的前体沉积，由与基于第III族元素氮化物的层的表面结合并且以周期性布置被布置的硅原子构成，使得通过电子沿方向[1‑100]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括：中心线(0，0)与整数阶线(0，‑1)之间的两个非整数阶衍射线(0，‑1/3)和(0，‑2/3)；以及中心线(0，0)和整数阶线(0，1)之间的两个非整数阶衍射线(0，1/3)和(0，2/3)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 基于 iii 元素 氮化物 钝化 半导体 结构 方法 以及 这样 | ||
【主权项】：
一种用于制作钝化半导体结构的方法，所述钝化半导体结构形成基于第III族元素氮化物的结构的支撑体，其特征在于，所述方法包括沉积(201)用于覆盖半导体结构的基于第III族元素氮化物的层的整个表面的钝化结晶层(31)的步骤，所述钝化结晶层由含有硅原子和氮原子流的前体沉积，并且，所述钝化结晶层(31)由与基于第III族元素氮化物的层的表面结合并且沿着结晶方向[1‑100]呈现三重周期性的硅和氮原子构成，以使得通过电子沿方向[1‑100]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括：－中心线(0，0)和整数阶线(0，‑1)和(0，1)；－中心线(0，0)与整数阶线(0，‑1)之间的两个非整数阶衍射线(0，‑1/3)和(0，‑2/3)；以及－中心线(0，0)和整数阶线(0，1)之间的两个非整数阶衍射线(0，1/3)和(0，2/3)，－中止钝化结晶层的沉积并获得形成基于第III族元素氮化物的结构的支撑体的钝化半导体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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