[发明专利]非易失性存储系统和方法有效
| 申请号： | 201680013950.5 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107430878B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 熊家琳;F.托雅马;M.邓加 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/26;H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储系统。非易失性存储系统包含存储器阵列，存储器阵列包含多个位线和多个感测块，布置为位线选择晶体管阵列的多个位线选择晶体管，每个位线选择晶体管耦接在位线中的对应的一个与感测块中的对应的一个之间，位线选择晶体管阵列包含与位线选择晶体管阵列的边缘相邻的边缘位线选择晶体管，以及与边缘位线选择晶体管相邻的第一虚设位线选择晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储系统 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储系统，包括：存储器阵列，包含多个位线和多个感测块；多个位线选择晶体管，所述多个位线选择晶体管布置为位线选择晶体管阵列，每个位线选择晶体管耦接在所述位线中的对应的一个与所述感测块中的对应的一个之间，所述位线选择晶体管阵列包括边缘位线选择晶体管，所述边缘位线选择晶体管与所述位线选择晶体管阵列的边缘相邻；以及第一虚设位线选择晶体管，所述第一虚设位线选择晶体管与所述边缘位线选择晶体管相邻。
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