[发明专利]用于非易失性存储器的多状态编程有效
| 申请号： | 201680013979.3 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107408410B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | Y-L.李;R-A.切尔内亚;刘钟鹤;T-Y.曾 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/24;G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 万里晴 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供用于对非易失性存储器编程的方法。方法包括通过将存储器单元从擦除状态编程到多个中间数据状态来编程用于偶数位线的存储器单元，以及对中间数据状态中的每一个，同时将存储器单元编程到多个目标数据状态。方法也包括通过将存储器单元从擦除状态编程到多个中间数据状态来编程用于奇数位线的存储器单元，以及对中间数据状态中的每一个，同时将存储器单元编程到多个目标数据状态。对每个存储器单元，如果存储器单元要被禁止编程，对应的位线被偏置到第一位线偏置，并且如果存储器单元要被编程到最终状态，对应的位线被偏置到多个编程位线偏置中的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 状态 编程 | ||
【主权项】：
一种用于对非易失性存储器编程的方法，所述方法包括：通过以下步骤对用于偶数位线的存储器单元编程：将所述存储器单元从擦除状态编程到多个中间数据状态；并且对于所述中间数据状态的每一个，同时将所述存储器单元编程到多个目标数据状态；并且通过以下步骤对用于奇数位线的存储器单元编程：将所述存储器单元从擦除状态编程到所述多个中间数据状态；并且对于所述中间数据状态中的每一个，同时将存储器单元编程到所述多个目标数据状态。
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