[发明专利]具有磁弧偏转的高电压紧凑型熔断器组件有效
| 申请号： | 201680014188.2 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107430966B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 周信;R·S·道格拉斯;V·J·萨波里塔 | 申请（专利权）人： | 伊顿智能动力有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/20 | 分类号： | H01H85/20;H01H85/38 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 徐舒 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 熔断器块和熔断器座形式的熔断器组件包括嵌入永磁体电弧抑制特征，其便于可熔电路保护的更高电压操作而不增加熔断器组件尺寸。嵌入磁体将外部磁场施加在过电流保护熔断器上并且产生电弧偏转力以增强熔断器的灭弧能力而不增加其形状因数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏转 电压 紧凑型 熔断器 组件 | ||
【主权项】：
一种熔断器组件，其包括：非导电壳体，所述非导电壳体限定尺寸确定成接收过电流保护熔断器的至少一个熔断器插座；至少一组熔断器接触端子，所述至少一组熔断器接触端子配置成当接收在所述至少一个熔断器插座中时通过所述过电流保护熔断器建立电连接；以及至少一个永磁体，所述至少一个永磁体联接到所述非导电壳体并且在所述熔断器插座中施加磁场；其中当接收在所述熔断器插座中时所述过电流保护熔断器的至少一部分布置在所述磁场中。
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