[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680014233.4 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107408581B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 泷下博;吉村尚;田村隆博;小野泽勇一;山野彰生 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/322;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，掺杂有杂质；正面侧电极，设置于半导体基板的正面侧；以及背面侧电极，设置于半导体基板的背面侧，半导体基板具有：峰区，配置于半导体基板的背面侧，并且杂质浓度具有一个以上的峰；高浓度区，配置于比峰区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度的分布比一个以上的峰平缓；以及低浓度区，配置于比高浓度区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度比高浓度区的杂质浓度和半导体基板的基板浓度低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板，掺杂有杂质；正面侧电极，设置于所述半导体基板的正面侧；以及背面侧电极，设置于所述半导体基板的背面侧，所述半导体基板具有：峰区，配置于所述半导体基板的背面侧，并且杂质浓度具有一个以上的峰；高浓度区，配置于比所述峰区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度的分布比所述一个以上的峰平缓；以及低浓度区，配置于比所述高浓度区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度比所述高浓度区的杂质浓度和所述半导体基板的基板浓度低。
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