[发明专利]在组合开关与线性调节器中使用PMOS电源开关有效

专利信息
申请号: 201680014269.2 申请日: 2016-03-11
公开(公告)号: CN107431427B 公开(公告)日: 2020-03-13
发明(设计)人: 阿贾伊·库马尔 申请(专利权)人: 密克罗奇普技术公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M3/155;H02M3/156
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: P‑MOS晶体管可用作DC‑DC转换器中的开关或用作线性调节器的传递晶体管。当供应电压高于特定电压时,所述P‑MOS晶体管将用于所述DC‑DC转换器中,且当所述供应电压低于所述特定电压时,所述P‑MOS晶体管将用于所述线性调节器中。可利用电压比较器来监测所述供应电压,所述电压比较器将所述供应电压与所述特定电压进行比较。当高于所述特定电压时,所述DC‑DC转换器比所述线性调节器高效,且当低于所述特定电压时,所述线性电压调节器比所述DC‑DC转换器高效。或者,可在集成电路封装制作或最终产品制造期间针对不同产品应用通过使用接合、跨接线、熔丝连接环或对位进行编程来完成选择所述DC‑DC转换器或线性调节器。
搜索关键词: 组合 开关 线性 调节器 使用 pmos 电源开关
【主权项】:
一种电压调节器,其包括:功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;及切换电路,其用于在第一操作模式中将所述功率MOSFET切换成DC‑DC调节器电路且用于在第二操作模式中将所述功率MOSFET切换成线性调节器电路。
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