[发明专利]单晶金刚石及其生长方法在审
| 申请号： | 201680014296.X | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107407005A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | D.S.米斯拉 | 申请（专利权）人： | 二A科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C23C16/27 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 段菊兰,杨思捷 |
| 地址： | 新加坡新加坡市珠烈街6*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 单晶金刚石，所述单晶金刚石具有在考虑了514.5nm激光的瑞利宽度后经校正的半峰全宽，并且显示取决于所述金刚石的质量，存在或不存在带负电荷的硅空位缺陷；在270nm处的吸收系数下的一定浓度水平的中性取代氮[Ns0]；在10.6μm波长下的FTIR透射率值；当峰高为在1332.5cm‑1处的峰高时一定浓度的带正电荷的取代氮[Ns+]；当波长为在3123cm‑1处的波长时不存在氮‑空位‑氢缺陷(NVH0)物质；当使用514.5nm激光激发，一级拉曼光谱峰为在552.37nm处的一级拉曼光谱峰时，归一化的光谱；黑色或白色区域，且具有延迟到金刚石片厚度的折射率；或当在室温、黑暗环境中将所述金刚石置于355nm激光辐射时，微红色辉光和蓝色辉光。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
单晶金刚石，包括：考虑了514.5nm激光的瑞利宽度后，经校正的半峰全宽(FWHM)，取决于所述金刚石的质量，显示存在或不存在带负电荷的硅空位缺陷，当吸收系数为在270nm处的吸收系数时，显示一定浓度水平值的中性取代氮[Ns0]，当波长为在10.6μm处的波长时，显示一定值的FTIR透射率，当峰高为在1332.5cm‑1处的峰高时，显示一定浓度值的带正电荷的取代氮[Ns+]，当波长为在3123cm‑1处的波长时，显示不存在氮‑空位‑氢缺陷(NVH0)物质，当使用514.5nm激光激发，一级拉曼光谱峰为在552.37nm处的一级拉曼光谱峰时，显示归一化的光谱，显示黑色或白色区域，且具有折射率(Δn)，其中Δn＝R/t，其中R＝延迟，且t为金刚石片(plate)的厚度，以及当在室温、黑暗环境中将所述金刚石置于355nm激光器辐射时，显示微红色辉光和蓝色辉光。
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