[发明专利]接入电流限制有效

专利信息
申请号: 201680014340.7 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN107735931B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: G·哈斯;A·施耐德 申请(专利权)人: 依必安派特穆尔芬根有限两合公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H9/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 德国穆*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于对电压中间电路进行接入电流限制的方法和电路组件,该电路组件构造成具有至少一个储存电容。
搜索关键词: 接入 电流 限制
【主权项】:
一种用于对电压中间电路进行接入电流限制的电路组件(1),所述电路组件构造成至少具有储存电容器(2),其中为了限制流过所述储存电容器(2)的最大充电电流,在供电电压源(3)与所述储存电容器(2)之间设有充电电路(4),充电电路(4)具有至少一个半导体构件(5),该半导体构件带有栅极(6)、电阻(7)以及晶体管(8),其中,在所述半导体构件(5)的漏极端口(D)与源极端口(S)之间的漏极‑源极路段与所述储存电容器(2)串联布置,并且其中,所述储存电容器(2)的放电通过多个分别在时间上依次的充电电流脉冲(I1,…In)进行,充电电流脉冲在短时间接通所述半导体构件(5)的漏极‑源极路段时流到所述储存电容器(2),并且其中,在所述充电支路中的电阻布置成与所述半导体构件的漏极‑源极路段串联,使得在所述电阻处产生电压下降,利用电压下降可控制所述晶体管的基极,以接通所述晶体管,使得所述半导体构件(5)的栅极(6)与所述电路组件(1)的接地电势连接并且由此所述半导体组件(5)过渡到其关断状态。
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