[发明专利]太阳能电池背面上的导电聚合物/Si界面在审
| 申请号： | 201680014485.7 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107431129A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | J·施密特;D·齐尔克;A·埃尔施纳;W·勒韦尼希;M·赫尔特斯;A·谢尔 | 申请（专利权）人： | 贺利氏德国有限责任两合公司;太阳能研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 林柏楠,刘金辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池(1)，其包含p‑型硅或n‑型硅的基底(2)，其中基底(2)包含‑正面(2a)，其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖，和‑背面(2b)，其中基底(2)的背面(2b)至少部分地被导电聚合物层(4)覆盖，并且其中满足以下条件a)和b)中的至少一个a)导电聚合物层(4)至少部分地与p‑型或n‑型硅的表面直接接触；b)导电聚合物层(4)包含阳离子性导电聚合物和聚阴离子，并且阳离子性导电聚合物聚阴离子的重量比率是大于0.4。本发明也涉及制备太阳能电池的方法、可通过此方法得到的太阳能电池以及太阳能模块。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 面上 导电 聚合物 si 界面 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池(1)，其包含p‑型硅或n‑型硅的基底(2)，其中基底(2)包含：‑正面(2a)，其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖，和‑背面(2b)，其中基底(2)的背面(2b)至少部分地被导电聚合物层(4)覆盖，并且其中满足以下条件a)和b)中的至少一个：a)导电聚合物层(4)至少部分地与p‑型或n‑型硅的表面直接接触；b)导电聚合物层(4)包含阳离子性导电聚合物和聚阴离子，并且阳离子性导电聚合物:聚阴离子的重量比率是大于0.4，优选大于0.5，更优选大于0.6，更优选大于0.65。
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