[发明专利]使用串联磁性隧道结的多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM有效
| 申请号： | 201680014624.6 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN107430883B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | Y·陆;X·李 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种设备包括具有第一读取余裕的第一磁性隧道结(MTJ)元件以及具有第二读取余裕的第二MTJ元件。第一读取余裕大于第二读取余裕的两倍。该设备还包括耦合在第一MTJ元件与第二MTJ元件之间的存取晶体管。存取晶体管的栅极耦合至字线。第一MTJ元件、第二MTJ元件和存取晶体管可形成多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 串联 磁性 隧道 自旋 转移 磁阻 随机存取存储器 stt mram | ||
【主权项】：
一种设备，包括：具有第一读取余裕的第一磁性隧道结(MTJ)元件；具有第二读取余裕的第二MTJ元件，所述第一读取余裕大于所述第二读取余裕的两倍；以及耦合在所述第一MTJ元件与所述第二MTJ元件之间的存取晶体管，其中所述存取晶体管的栅极耦合至字线，以及其中所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管形成多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)存储器单元。
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