[发明专利]半导体加工用带有效

专利信息
申请号: 201680015116.X 申请日: 2016-03-23
公开(公告)号: CN107408501B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 佐野透;杉山二朗;青山真沙美 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;C09J7/20;C09J201/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋融冰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种拾取性优异的半导体加工用带,其在带收缩工序中热收缩率低,不会产生褶皱,并且切缝宽度充分扩张而芯片位置不会偏移。一种半导体加工用带,其特征在于,具有粘合带,该粘合带具备基材膜和形成于上述基材膜的至少一面侧的粘合剂层,在通过扩展分割粘接剂的工序中,按照JIS7162中规定的方法,上述粘合带在10%的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下:粘合带的应力/仅基材的应力=1以下。
搜索关键词: 半导体 工用
【主权项】:
1.一种半导体加工用带,其特征在于,具有粘合带,所述粘合带具备基材膜和形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层,在通过扩展分割粘接剂的工序中,在按照JIS7162所规定的方法的拉伸试验中,所述粘合带在10%的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下:粘合带的应力/仅基材的应力≤0.96,其中,构成所述粘合剂层的粘合剂组合物具有,将烷基的碳原子数为6至12的丙烯酸烷基酯或者甲基丙烯酸烷基酯单体和,具有碳-碳双键、且具有官能团的单体共聚而得到的共聚物。
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