[发明专利]接合体的制造方法有效
申请号: | 201680015200.1 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN107408514B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 雷蒙德·迪茨;凯西·肖·特朗勃;马切伊·帕特尔卡;吉井明人;坂井德幸;山口博 | 申请(专利权)人: | 纳美仕有限公司 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L23/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种接合体的制造方法,其通过较低温度的加热来接合第一被粘物和第二被粘物,在接合后能够得到具有优异耐热性的接合体。一种接合体的制造方法,其中,玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂,(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度,再熔融温度为超过结晶化温度的温度,结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度,所述制造方法包括下述工序:对第一被粘物和第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序;夹着玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的工序;将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序;以及,将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。 | ||
搜索关键词: | 接合 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种接合体的制造方法,其使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物,玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂,(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度,再熔融温度为超过结晶化温度的温度,结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度,所述接合体的制造方法包括下述工序:对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序;夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序;将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序;以及将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳美仕有限公司,未经纳美仕有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680015200.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造