[发明专利]跨多个操作模式具有基本上恒定的操作性能的静态随机存取存储器(SRAM)阵列在审

专利信息
申请号: 201680015772.X 申请日: 2016-03-01
公开(公告)号: CN107430887A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: N·N·莫江德;P·刘;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C11/417;G11C11/419;G11C29/02;G11C29/54
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 袁逸,陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 所公开的诸方面包括跨多种操作模式具有基本上恒定的操作收益的静态随机存取存储器(SRAM)阵列。在一个方面,提供了一种设计具有多个操作模式的SRAM阵列的方法。该方法包括确定与每个操作模式相关联的性能特性。配置成在每个操作模式中操作的SRAM位单元被提供给SRAM阵列。使用动态自适应辅助技术来偏置SRAM位单元以在一个操作模式中操作,其中该SRAM位单元跨诸模式达成基本恒定的操作收益。该SRAM位单元具有对应的类型,其中该方法中的SRAM位单元类型的数目小于操作模式的数目。由此,每个SRAM阵列可以达成特定的操作模式而不针对每个模式要求单独的SRAM位单元,藉此减小成本。
搜索关键词: 跨多个 操作 模式 具有 基本上 恒定 性能 静态 随机存取存储器 sram 阵列
【主权项】:
一种用于设计跨多个操作模式具有基本恒定的操作收益的静态随机存取存储器(SRAM)阵列的方法,包括:确定SRAM阵列的多个操作模式中的每个操作模式的性能特性;向所述SRAM阵列提供多个SRAM位单元,所述多个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的多个操作模式中操作,其中所述多个SRAM位单元具有对应的类型,并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目;以及使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在所述多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作。
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