[发明专利]脉冲氮化物封装有效
| 申请号： | 201680016144.3 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107408493B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | P·J·赖利;D·A·贝思克;M·巴尔西努 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的多个方面涉及在图案化的基板上形成保形衬垫的方法，所述图案化的基板具有高的高宽纵横比的间隙。已发现根据本文所概述的实施例形成的层抑制跨保形衬垫的扩散和电泄漏。根据实施例，衬垫可包含氮并且被描述为氮化物层。在实施例中，保形衬垫可包含硅和氮并且可由硅和氮组成。本文所述的方法可包含将含硅前体和含氮前体引入基板处理区域中，并且同时将脉冲等离子体功率电容性地施加至基板处理区域以形成保形层。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 氮化物 封装 | ||
【主权项】：
一种在图案化的基板上形成保形氮化硅层的方法，所述方法包含：将所述图案化的基板放置在基板处理腔室的基板处理区域中；使含硅前体流入所述基板处理区域中；将所述含硅前体与含氮前体组合；通过将RF功率的方波施加至所述基板处理区域来形成脉冲等离子体；在所述脉冲等离子体中激发所述含硅前体与所述含氮前体的组合；以及形成所述保形氮化硅层，其中所述保形氮化硅层包含硅和氮两者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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