[发明专利]形成含硅膜的组合物及其使用方法

摘要

披露了经单取代的TSA前体的、形成含硅膜的组合物。这些前体具有式：(SiH₃)₂N‑SiH₂‑X，其中X是选自卤素原子；异氰酸酯基；氨基；含N的C₄‑C₁₀饱和或不饱和杂环；或烷氧基。还披露了使用所披露的经单取代的TSA前体形成含硅膜的方法。

主权项

1.一种形成含硅膜的组合物，该组合物包含具有下式的经单取代的TSA前体：(SiH₃)₂N‑SiH₂‑X其中X选自氨基[‑NR¹R²]或含N的C₄‑C₁₀饱和或不饱和杂环；R¹和R²各自选自H，C₁‑C₆直链或支链、饱和或不饱和烃基，或甲硅烷基[SiR'₃]，其中每个R'独立地选自H，从Cl、Br或I中选择的卤素原子，C₁‑C₄饱和或不饱和烃基，C₁‑C₄饱和或不饱和烷氧基，或氨基[‑NR³R⁴]，其中每个R³及R⁴选自H或C₁‑C₆直链或支链、饱和或不饱和烃基，其前提是若R¹＝H，则R²≠H或Me。