[发明专利]存储器件有效
| 申请号： | 201680016542.5 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN107454986B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 朴在勤;洪松花 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明包括形成在基板上的下部电极、第一缓冲层、种子层、合成交换半磁性层、覆盖层、固定层、磁隧道屏障、自由层、第二缓冲层及上部电极。公开了存储器件，其在基板，从下部电极至上部电极依次层叠，合成交换半磁性层呈第一磁性层、非磁性层及第二磁性层的层叠结构，固定层、磁隧道屏障及自由层形成磁隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种存储器件，其特征在于，在基板上以层叠的方式形成有下部电极、缓冲层、种子层、合成交换半磁性层、覆盖层、磁隧道结及上部电极。
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