[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201680016713.4 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN107408503B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 高桥弘明;尾辻正幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 基板处理装置包括用于控制基板保持单元、蚀刻液供给单元以及多个电极的控制装置。控制装置执行:蚀刻工序,一边使基板围绕旋转轴线旋转,一边向基板供给蚀刻液;蚀刻带电工序,对多个电极施加电压,以使施加电压的绝对值按照第一电极和第二电极的顺序增加,从而与蚀刻工序并行地使基板带电。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,包括:基板保持单元,一边保持基板一边使所述基板围绕通过所述基板的中央部的旋转轴线旋转,蚀刻液供给单元,向被所述基板保持单元保持的基板的主面供给蚀刻液,多个电极,具有:第一电极,与被所述基板保持单元保持的基板相对;第二电极,相对于所述旋转轴线配置在比所述第一电极更远的位置,并且与被所述基板保持单元保持的基板相对,控制装置,用于控制所述基板保持单元、蚀刻液供给单元以及多个电极;所述控制装置执行:蚀刻工序,一边使基板围绕所述旋转轴线旋转,一边向所述基板的主面供给蚀刻液,蚀刻带电工序,对所述多个电极施加电压,以使施加电压的绝对值按照所述第一电极和第二电极的顺序增加,从而与所述蚀刻工序并行地使所述基板的主面带电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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