[发明专利]量子点传感器读出有效

专利信息
申请号: 201680017555.4 申请日: 2016-03-02
公开(公告)号: CN107431768B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: M·沃蒂莱宁;S·卡利奥伊宁 申请(专利权)人: 诺基亚技术有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 葛荆;杨晓光
地址: 芬兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种装置,包括:量子点石墨烯场效应晶体管,其配置成按照入射到其上的光子致使电子空穴对被形成的方式工作;连接器元件,其连接到量子点石墨烯场效应晶体管的背栅;开关元件,其配置成用作输出开关,以便为流过量子点石墨烯场效应晶体管的电流提供输出;其中量子点石墨烯场效应晶体管配置成按照所形成的电子或空穴被捕获在至少一个量子点中并且空穴或电子分别迁移到量子点场效应晶体管的沟道的方式,经由连接到背栅的连接器元件被背栅偏置;以及其中连接到量子点石墨烯场效应晶体管的漏到源电压致使与在量子点处被捕获的空穴或电子的电荷成比例的电流通过电子或空穴在沟道中流动。
搜索关键词: 量子 传感器 读出
【主权项】:
一种装置,包括:量子点石墨烯场效应晶体管,其配置成按照入射到其上的光子致使电子空穴对被形成的方式工作;连接器元件,其连接到所述量子点石墨烯场效应晶体管的背栅;开关元件,其配置成用作输出开关,以便为流过所述量子点石墨烯场效应晶体管的电流提供输出;其中所述量子点石墨烯场效应晶体管配置成按照所形成的电子或空穴被捕获在至少一个量子点中并且空穴或电子分别迁移到所述量子点场效应晶体管的沟道的方式,经由连接到所述背栅的所述连接器元件被背栅偏置;以及其中连接到所述量子点石墨烯场效应晶体管的漏到源电压致使与在所述量子点处被捕获的空穴或电子的电荷成比例的电流通过电子或空穴在所述沟道中流动。
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