[发明专利]多环芳香族化合物、多环芳香族多聚体化合物及发光层形成用组合物与其用途有效
申请号: | 201680018003.5 | 申请日: | 2016-03-02 |
公开(公告)号: | CN107735879B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 畠山琢次;近藤靖宏;中本启一;梁井元树 | 申请(专利权)人: | 学校法人关西学院;捷恩智株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C07F5/02;C09K11/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
地址: | 日本兵库县西*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明的课题在于提供一种在溶剂中的溶解性、成膜性、湿式涂布性、热稳定性及面内取向性得到改善的多环芳香族化合物、多环芳香族多聚体化合物及发光层形成用组合物与其用途。利用如下发光层形成用组合物来解决所述课题,所述发光层形成用组合物包含:作为第1成分的选自由下述通式(A)所表示的多环芳香族化合物及具有多个下述通式(A)所表示的结构的多环芳香族多聚体化合物所组成的群组中的至少一种的掺杂剂材料;作为第2成分的特定的低分子主体材料;以及作为第3成分的至少一种有机溶剂。式(A)中,A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环,Y1为B,X1及X2分别独立地为O或N‑R,其中X1及X2的至少一个为N‑R。 |
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搜索关键词: | 芳香族 化合物 多聚体 发光 形成 组合 与其 用途 | ||
【主权项】:
一种发光层形成用组合物,其用以涂布形成有机电场发光元件的发光层,所述发光层形成用组合物包含:作为第1成分的选自由下述通式(A)所表示的多环芳香族化合物及具有多个下述通式(A)所表示的结构的多环芳香族多聚体化合物所组成的群组中的至少一种;作为第2成分的选自由下述通式(B‑1)~式(B‑6)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种;以及作为第3成分的至少一种有机溶剂;[化1](所述式(A)中,A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环,这些环中的至少一个氢可被取代,Y1为B,X1及X2分别独立地为O或N‑R,其中X1及X2的至少一个为N‑R,所述N‑R的R为可被取代的芳基、可被取代的杂芳基或烷基,另外,所述N‑R的R可通过连结基或单键而与所述A环、所述B环和/或所述C环键结,而且,所述式(A)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可由下述通式(FG‑1)所表示的基、下述通式(FG‑2)所表示的基、碳数1~24的烷基、卤素或重氢取代,进而,所述烷基中的任意的‑CH2‑可由‑O‑或‑Si(CH3)2‑取代,所述烷基中的除直接键结于所述式(A)所表示的化合物或结构的‑CH2‑以外的任意的‑CH2‑可由碳数6~24的亚芳基取代,所述烷基中的任意的氢可由氟取代)[化2](所述式(B‑1)~式(B‑4)中,Ar分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基,这些中的至少一个氢进而可由芳基、杂芳基或二芳基氨基取代,Ar中的邻接的基彼此可键结并分别与蒽环、芘环、芴环或咔唑环的母骨架一同形成芳基环或杂芳基环,所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基取代,n为1~能够取代的最大整数)(所述式(B‑5)中,R1~R11分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基,这些中的至少一个氢进而可由芳基、杂芳基或二芳基氨基取代,R1~R11中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一同形成芳基环或杂芳基环,所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基取代,这些中的至少一个氢进而可由芳基、杂芳基或二芳基氨基取代)(所述式(B‑6)中,MU分别独立地为选自由所述通式(B‑1)~式(B‑5)所表示的化合物的二价的基所组成的群组中的至少一个,MU中的两个氢与EC或MU进行取代,EC分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基,这些中的至少一个氢进而可由芳基、杂芳基或二芳基氨基取代,k为2~50000的整数)(另外,所述式(B‑1)~式(B‑5)所表示的化合物、所述式(B‑6)中的所述式(B‑1)~式(B‑5)所表示的化合物的二价的基或所述式(B‑6)中的EC的至少一个氢可由下述通式(FG‑1)所表示的基、下述通式(FG‑2)所表示的基、碳数1~24的烷基、卤素或重氢取代,进而,所述烷基中的任意的‑CH2‑可由‑O‑或‑Si(CH3)2‑取代,所述烷基中的除直接键结于所述式(B‑1)~式(B‑6)所表示的化合物、所述式(B‑6)中的所述式(B‑1)~式(B‑5)所表示的化合物的二价的基或所述式(B‑6)中的EC的‑CH2‑以外的任意的‑CH2‑可由碳数6~24的亚芳基取代,所述烷基中的任意的氢可由氟取代)[化3](所述式(FG‑1)中,R分别独立地为氟、三甲基硅烷基、三氟甲基、碳数1~24的烷基或碳数3~24的环烷基,所述烷基中的任意的‑CH2‑可由‑O‑取代,所述烷基中的除直接键结于苯基或亚苯基的‑CH2‑以外的任意的‑CH2‑可由碳数6~24的亚芳基取代,所述环烷基中的至少一个氢可由碳数1~24的烷基或碳数6~12的芳基取代,当邻接的两个R为烷基或环烷基时,它们可键结而形成环,m分别独立地为0~4的整数,n为0~5的整数,p为1~5的整数)[化4](所述式(FG‑2)中,R分别独立地为氟、三甲基硅烷基、三氟甲基、碳数1~24的烷基、碳数3~24的环烷基或碳数6~12的芳基,所述烷基中的任意的‑CH2‑可由‑O‑取代,所述烷基中的除直接键结于苯基或亚苯基的‑CH2‑以外的任意的‑CH2‑可由碳数6~24的亚芳基取代,所述环烷基中的至少一个氢可由碳数1~24的烷基或碳数6~12的芳基取代,所述芳基中的至少一个氢可由碳数1~24的烷基取代,当邻接的两个R为烷基或环烷基时,它们可键结而形成环,m为0~4的整数,n分别独立地为0~5的整数)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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