[发明专利]导电结构体及其制备方法有效
| 申请号： | 201680018324.5 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107408420B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李一翻;金起焕;朴赞亨;章盛晧;朴镇宇 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;H01B5/14;H01B13/00;G02B1/113;G06F3/045 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王楠楠;张云志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电结构体，包括：基板；以及设置在所述基板上的构成屏幕部、接线部和衬垫部的导线，其中，所述导线包括金属层和设置在所述金属层上的减光反射层，所述导线在波长为633nm的光中的消光系数k为1.2以上且为2.2以下，以及所述减光反射层包含下面式1的值满足0.6以上且为0.7以下的氮氧化铝：[式1]![]()
在式1中，Nat％指相对于所述氮氧化铝的氮原子的元素含量，Alat％指相对于所述氮氧化铝的铝原子的元素含量，Oat％指相对于所述氮氧化铝的氧原子的元素含量。
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