[发明专利]光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法

摘要

一种光电子半导体本体（100）包括：带有第一导电类型的第一层（10）、第二导电类型的第二层（12）和布置在第一层（10）和第二层（12）之间的有源层（11）的半导体层序列（1），其中该有源层在按规定的运行中发射或吸收电磁辐射。在半导体本体（100）中存在多个在横向方向上并排布置的注入区域（2），其中在每个注入区域（2）内部半导体层序列（1）被掺杂为，使得在整个注入区域（2）内，半导体层序列（1）具有与第一层（10）相同的导电类型。在此，每个注入区域（2）从第一层（10）出发至少部分穿过有源层（11）。此外，每个注入区域（2）横向地被有源层（11）的连续的轨道包围，在所述连续的轨道中，有源层（11）比在注入区域（2）中要掺杂得少或者相反地被掺杂。在半导体本体（100）运行中，载流子至少部分地从第一层（10）到达注入区域（2）中并且从那里出来直接注入到有源层（11）中。

主权项

一种光电子半导体本体（100），具有‑带有第一导电类型的第一层（10）、第二导电类型的第二层（12）以及布置在所述第一层（10）和所述第二层（12）之间的有源层（11）的半导体层序列（1），其中该有源层在按规定的运行中发射或吸收电磁辐射，‑多个在横向方向上并排布置的注入区域（2），其中在每个注入区域（2）内部所述半导体层序列（1）被掺杂为，使得在整个注入区域（2）内，所述半导体层序列（1）具有与所述第一层（10）相同的导电类型，其中‑每个注入区域（2）从所述第一层（10）出发至少部分穿过所述有源层（11），并且每个注入区域（2）横向地被所述有源层（11）的连续的轨道包围，其中在所述连续的轨道中，所述有源层（11）比在所述注入区域（2）中要掺杂得少或者相反地掺杂，‑在运行中，载流子至少部分地从所述第一层（10）到达所述注入区域（2）中并且从所述注入区域出来直接注入到所述有源层（11）中。