[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置(1)包含：半导体基板(2)，其形成有贯通孔(7)；第1配线(3)，其设置于半导体基板(2)的第1表面(2a)；绝缘层(10)，其设置在贯通孔(7)的内表面(7c)及半导体基板(2)的第2表面(2b)；及第2配线(8)，其设置在绝缘层(10)的表面(10b)，且在开口(10a)中与第1配线(3)电连接。在绝缘层(10)的表面(10b)，包含：第1区域(11)；第2区域(12)；第3区域(13)；第4区域(14)，其以将第1区域(1)与第2区域(12)连续地连接的方式弯曲；及第5区域(15)，其以将第2区域(12)与第3区域(13)连续地连接的方式弯曲。第2区域(12)的平均倾斜角度较第1区域(11)的平均倾斜角度小，且较内表面(7c)的平均倾斜角度小。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有彼此相对的第1表面及第2表面，且形成有自所述第1表面到达至所述第2表面的贯通孔；第1配线，其设置于所述第1表面，且一部分位于所述贯通孔的所述第1表面侧的第1开口上；绝缘层，其设置于所述贯通孔的内表面及所述第2表面，且经由所述贯通孔的所述第2表面侧的第2开口而连续；及第2配线，其设置于所述绝缘层的表面，且在所述绝缘层的所述第1表面侧的开口中与所述第1配线电连接，所述绝缘层的所述表面包含：在所述贯通孔的内侧到达至所述第1开口，且自所述第1表面向所述第2表面扩大的锥状的第1区域；在所述贯通孔的内侧到达至所述第2开口，且自所述第1表面向所述第2表面扩大的锥状的第2区域；在所述贯通孔的外侧与所述第2表面相对的第3区域；以将所述第1区域与所述第2区域连续地连接的方式弯曲的第4区域；及以将所述第2区域与所述第3区域连续地连接的方式弯曲的第5区域，所述第2区域的平均倾斜角度较所述第1区域的平均倾斜角度小，且较所述贯通孔的所述内表面的平均倾斜角度小。