[发明专利]具有掩模之基板、以及具有凹凸构造之基板的制造方法有效
| 申请号： | 201680018960.8 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107431010B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 梶田康仁;平间智;大纮太郎;筱塚启 | 申请（专利权）人： | 王子控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有凹凸构造之基板的制造方法，包括：第1掩模形成工序，在基板(11)之上形成包含由多个粒子(P)所构成的单粒子膜(F)的第1掩模(21)；第2掩模形成工序，在基板(11)之上，通过包含掩模材料的液状体的固化来形成第2掩模(22)；以及蚀刻工序，使用第1掩模(21)和第2掩模(22)来蚀刻基板(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 以及 凹凸 构造 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有掩模之基板，其具备：基板、以及位于所述基板之上的第1掩模，所述第1掩模包含由多个粒子构成的粒子膜；所述多个粒子通过固着层被固着于所述基板；所述固着层实质上由熔点为100℃以上的物质构成。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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