[发明专利]自由边缘半导体芯片弯曲有效
申请号: | 201680019538.4 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN107431079B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | A·科菲;G·P·麦克尼格特;G·赫瑞拉 | 申请(专利权)人: | 微软技术许可有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于制造具有弯曲表面的半导体芯片的技术可以包括:将基本上平面的半导体芯片放置在凹模的凹入表面中,使得半导体芯片的角部或边缘不被约束,或者是半导体芯片与凹模物理接触的仅有部分;以及通过在半导体芯片上朝向凹入表面的底部施加力,弯曲基本上平面的半导体芯片以形成凹形半导体芯片。在弯曲期间,半导体芯片的角部或边缘相对于凹部表面移动或滑动。 | ||
搜索关键词: | 自由 边缘 半导体 芯片 弯曲 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:将基本上平面的半导体芯片放置在模的凹入表面上,使得所述半导体芯片的角部或边缘基本上不被约束;以及通过在所述半导体芯片上、朝向所述凹入表面的底部施加力,弯曲所述基本上平面的半导体芯片,以形成凹形半导体芯片,其中在所述弯曲期间,所述半导体芯片的基本上不被约束的角部或边缘相对于所述凹入表面移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的