[发明专利]磁阻效应元件有效
| 申请号： | 201680019561.3 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107408626B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;G11B5/39;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB |
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| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
一种磁阻效应元件，其特征在于，具有：第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的隧道势垒层，所述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，且，A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素，0＜x≤4。
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