[发明专利]基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置有效
申请号: | 201680019629.8 | 申请日: | 2016-02-10 |
公开(公告)号: | CN107431039B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 带金正;柴田秀和 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在平台(7)的保持面(7a)设有用于吸附晶圆(W)的微细的吸引槽(7b)。吸引槽(7b)例如被划分为9个吸引区域(61A~61I)。吸引区域(61I)用于吸附圆形的晶圆(W)的中央部分。吸引区域(61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H)用于吸附圆形的晶圆(W)的周缘部分。对于保持在平台(7)上的晶圆(W),向与吸引区域(61A~61I)相对应的9处位置分别喷射气体。 | ||
搜索关键词: | 保持 方法 装置 处理 | ||
【主权项】:
一种基板保持方法,其用于使基板吸附保持于平台,其中,所述平台具有用于吸附并保持所述基板的下表面的基板保持面,所述基板保持面被划分为能够局部地吸引所述基板的多个区域,通过依次重复在使所述基板的一部分吸附于所述多个区域中的至少一个区域之后、使所述基板的其他部分吸附于与使所述基板的一部分吸附的区域邻接的区域的操作,从而使所述基板整体吸附保持于所述平台,并且,在使所述基板局部地吸附时,利用按压部件将所述基板的吸附部位向所述基板保持面按压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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