[发明专利]氮化硅烧结体及使用其的高温耐久性构件有效
| 申请号： | 201680019713.X | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107531579B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 池田功;船木开;阿部丰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;F16C33/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吴倩;张楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，在具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体中，上述氮化硅晶粒被晶界相被覆，上述晶界相的宽度为0.2nm以上。此外，晶界相的宽度优选为0.2nm以上且5nm以下。此外，晶界相优选为15质量％以下。通过上述构成，可抑制高温环境下的晶界相的劣化，能够提供高温下的耐久性高的氮化硅烧结体。该氮化硅烧结体适合作为使用环境为300℃以上的高温耐久性构件的构成材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 使用 高温 耐久性 构件 | ||
【主权项】：
一种氮化硅烧结体，其特征在于，在具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体中，所述氮化硅晶粒被晶界相被覆，所述晶界相的宽度为0.2nm以上。
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