[发明专利]测长元件以及固体摄像装置有效
申请号: | 201680019832.5 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN107534048B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 川人祥二 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人静冈大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S7/481;H01L27/144;H01L31/10;H04N5/361;H04N5/369;H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 玉昌峰;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种测长元件以及固体摄像装置,测长元件具有大面积的光接收面积且高灵敏度、低暗电流并有利于高速调制,固体摄像装置使用该测长元件。具备:n型的表面埋设区域(25),以构成光电二极管的方式选择性地配置于像素形成层(22)的上部,从光接收部至由遮光板(51)所遮光的位置在像素形成层(22)的上部延伸;n型的电荷存储区域(24b、24d、24c),杂质密度高于表面埋设区域(25);多个传送栅极电极(42、44、43),与电荷存储区域相邻地配置;及n型的引导区域(26a),杂质密度高于表面埋设区域(25)、杂质密度低于电荷存储区域,一端部配置于遮光板(51)的开口部的下方,另一端部到达至传送栅极电极的一部分。 | ||
搜索关键词: | 元件 以及 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种测长元件,其特征在于,具备:像素形成层,由第一导电类型的半导体构成;遮光板,具有开口部,并以在该开口部的下方的所述像素形成层定义5μm每度像素以上的大面积的光接收部的位置的方式配置于所述像素形成层的上方;第二导电类型的表面埋设区域,在所述光接收部中以由与所述像素形成层的接合构造构成光电二极管的方式,平面形状为梳形且构成为构成该梳形的叉子的齿的各个的宽度随着从所述叉子的前端部向根部去而变宽的多阶的台阶形状而选择性地配置于所述像素形成层的上部,而且,以从所述光接收部的位置到达至由所述遮光板所遮光的多个位置的方式在所述像素形成层的上部延伸并分支,以使得构成朝向所述多个位置的凸部,所述多个位置为3个以上位置;电荷存储区域,分别与所述多个凸部的前端部连接,所述电荷存储区域为第二导电类型且杂质密度高于所述表面埋设区域;多个传送控制机构,与所述电荷存储区域相邻地配置于所述多个凸部的各个,控制朝所述电荷存储区域的信号电荷的传送;以及引导区域,所述引导区域为第二导电类型且杂质密度高于所述表面埋设区域、杂质密度低于所述电荷存储区域,所述引导区域在所述表面埋设区域的上部的一部分分支,以使得一端部配置于所述开口部的下方的一部分、另一端部沿着在所述多个位置分支的所述表面埋设区域的图案而到达至所述传送控制机构的至少一部分,并且从所述一端部到所述分支部位的平面图案呈在与所述信号电荷的传输方向垂直的方向上所测得的宽度逐渐变宽的多阶的台阶形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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