[发明专利]研磨用组合物在审
| 申请号： | 201680020274.4 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN107533967A | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 大西正悟;佐藤刚树;吉崎幸信;坂部晃一 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [课题]本发明的目的在于提供一种可以充分提高氧化硅膜等具有硅‑氧键的研磨对象物的研磨速度或氮化硅膜等具有硅‑氮键的研磨对象物的研磨速度的、研磨用组合物。[解决方案]提供一种研磨用组合物，其具有(1)有机化合物，所述有机化合物具有与具有硅‑氧键或硅‑氮键的研磨对象物相互作用的作用部位、和促进用于研磨前述研磨对象物的研磨成分接近前述研磨对象物的促进部位；(2)磨粒；和(3)分散介质。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 | ||
【主权项】：
一种研磨用组合物，其具有：(1)有机化合物，所述有机化合物具有：与具有硅‑氧键或硅‑氮键的研磨对象物相互作用的作用部位、和促进用于研磨所述研磨对象物的研磨成分接近所述研磨对象物的促进部位；(2)磨粒；和(3)分散介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
