[发明专利]2TSONOS闪速存储器在审
| 申请号： | 201680020662.2 | 申请日： | 2016-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN107836042A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 许富菖 | 申请（专利权）人： | NEO半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市盈科律师事务所11344 | 代理人： | 岳蕊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种双晶体管(2T)氧化硅氮氧化硅(SONOS)闪速存储器。一方面，一种装置包括一个控制栅极晶体管，具有沉积在一个N阱中的源极和漏极扩散区，形成在与所述源极和漏极扩散区重叠的所述N阱上的一个电荷捕获区，以及形成在所述电荷捕获区的一个控制栅极。在所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度小于90nm。该装置还包括一个选择栅极晶体管，具有沉积在所述N阱中的一个选择源极扩散区。所述选择栅极晶体管的一个漏极侧共享所述源极扩散区。在所述选择源极扩散区和所述源极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度也小于90nm。 | ||
| 搜索关键词： | tsonos 存储器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：一个控制栅极晶体管，具有沉积在一个N阱中的源极和漏极扩散区，形成在与所述源极和漏极扩散区重叠的所述N阱上的一个电荷捕获区，以及形成在所述电荷捕获区的一个控制栅极，其中在所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度小于90nm；以及，一个选择栅极晶体管，具有沉积在所述N阱中的一个选择源极扩散区，其中所述选择栅极晶体管的一个漏极侧共享所述源极扩散区，其中在所述选择源极扩散区和所述源极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度小于90nm。
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