[发明专利]在IBAD织构化衬底上的外延六方材料有效
| 申请号： | 201680020908.6 | 申请日： | 2016-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107534074B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·马塔斯;克里斯托弗·杨 | 申请（专利权）人： | 艾宾姆材料公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括六方外延层如GaN或其他第III族‑氮化物(III‑N)半导体、111取向的织构化层和非单晶衬底的多层结构，以及其制备方法。所述织构化层具有优选地通过离子束辅助沉积(IBAD)织构化工艺形成的晶体对齐，并且可以双轴对齐。所述织构化层的面内晶体织构足够低以允许高质量六方材料的生长，但是仍可以明显大于六方材料的所需面内晶体织构。IBAD工艺使得低成本、大面积、柔性金属箔衬底能够用作用于制造电子器件的单晶蓝宝石和硅的潜在备选方案，使得能够使用规模化放大的卷到卷、板到板或相似的制造方法。使用者能够针对其机械和热性质选择衬底，如其热膨胀系数与六方外延层的热膨胀系数匹配得多好，同时选择更密切地晶格匹配该层的织构化层。 | ||
| 搜索关键词： | ibad 织构化 衬底 外延 材料 | ||
【主权项】：
一种多层结构，所述多层结构包括：外延六方晶体层；立方材料层，所述立方材料层具有<111>面外取向并且具有半峰全宽(FWHM)小于或等于约15°的面内晶体织构；和非单晶衬底。
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