[发明专利]用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法有效
| 申请号： | 201680020979.6 | 申请日： | 2016-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107438891B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 戴维·A·雷德;布鲁诺·W·许勒尔;布鲁斯·H·纽科姆;罗德尼·斯梅德特;克里斯·贝维斯 | 申请（专利权）人： | 诺威量测设备公司 |
| 主分类号： | H01J49/14 | 分类号： | H01J49/14;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于使用二次离子质谱(SIMS)的半导体计量和表面分析的系统和方法。在实例中，二次离子质谱(SIMS)系统包括样品台。一次离子束被引导至样品台。提取透镜对准样品台。配置提取透镜为从样品台上的样品发射的二次离子提供低提取场。磁扇区光谱仪沿着SIMS系统的光学路径耦合到提取透镜。磁扇区光谱仪包括耦合到磁扇区分析仪(MSA)的静电分析仪(ESA)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 二次 离子 半导体 计量 表面 分析 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二次离子质谱系统，包括：样品台；一次离子源和离子光学器件，用于产生并将一次离子束引导至所述样品台；提取透镜，对准所述样品台，配置所述提取透镜为从所述样品台上的样品发射的二次离子提供低提取场；和磁扇区光谱仪，沿着所述二次离子质谱系统的光学路径耦合到所述提取透镜，所述磁扇区光谱仪包括耦合到磁扇区分析仪(MSA)的静电分析仪(ESA)；其中，所述低提取场具有至多为10伏特/毫米的绝对值。
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