[发明专利]半导体装置及复合型半导体装置在审
| 申请号： | 201680021582.9 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107636824A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 木原诚一郎 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 汪飞亚,李艳霞 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供改善响应性能的横向型场效应晶体管。在横向型场效应晶体管(20)中，相较于齐纳二极管(5)，区块(17)配置成接近栅极端子(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 复合型 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含多个常断型或常通型场效应晶体管，且具备栅极端子、漏极端子及源极端子，其特征在于：每个所述场效应晶体管的栅极电极与所述栅极端子、漏极电极与所述漏极端子、源极电极与所述源极端子分别连接；具备阳极电极与所述源极端子、阴极电极与所述漏极端子分别连接的齐纳二极管；每个所述场效应晶体管，形成以依序远离所述栅极端子的方式配置的区块；相较于所述齐纳二极管，所述区块配置在所述栅极端子的附近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
