[发明专利]在半导体上制造外部氧化物或外部氮化物在审
| 申请号： | 201680022269.7 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107533973A | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | M·库兹明;P·劳卡宁;Y·穆罕默德;M·图奥米宁;J·达尔;V·图奥米宁;J·米克莱;M·蓬克基宁;K·科科 | 申请（专利权）人： | 图尔库大学 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 乔雪微,严政 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在半导体的衬底(1)上形成外部氧化物或外部氮化物层(6)的方法，包括提供具有氧化的或氮化的表面层(3)的半导体衬底(1)；在该氧化的或氮化的表面层上供给外部元素(5)；以及将该氧化的或氮化的表面层(3)保持于升高的温度，从而分别通过初始存在于该氧化的或氮化的表面层(3)中的氧或氮氧化或氮化至少部分该外部元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 外部 氧化物 氮化物 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体衬底(1)上形成外部氧化物或外部氮化物层(6)的方法，所述方法包括：提供具有氧化的或氮化的表面层(3)的半导体衬底(1)；在所述氧化的或氮化的表面层上供给外部元素(5)；以及将所述氧化的或氮化的表面层保持在升高的温度，以使得分别通过初始存在于所述氧化的或氮化的表面层(3)中的氧或氮来氧化或氮化至少部分所供给的外部元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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