[发明专利]用于离子化气体的X射线源有效

专利信息
申请号: 201680022670.0 申请日: 2016-02-24
公开(公告)号: CN107533941B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: T·泽巴尔德 申请(专利权)人: 艾斯森技术有限责任公司
主分类号: H01J35/06 分类号: H01J35/06;H01J35/18;H05H1/48
代理公司: 44240 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 金辉
地址: 德国格*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于离子化气体的X射线源,其中在真空腔室中具有场发射尖端阵列。利用本发明,将创造一种用于离子化气体的设备,其将杆状高压离子发生器的简单的、紧凑的且节约成本的设计和布置与低能量X射线离子发生器的优势相结合。这利用真空区域(3b)内的场发射尖端阵列(1)进行布置,所述真空区域由罩(3)和支撑板(4)的一部分包封,其中所述场发射尖端阵列(4)相对于载板(4)电绝缘布置并接线作为连接至高压源的阴极,并且其中对于X射线辐射是透明的透射窗(2)布置在居中于所述场发射尖端阵列(1)上方的所述罩(3)中,并且其中所述罩(3)接线作为阳极。
搜索关键词: 用于 离子化 气体 射线
【主权项】:
1.一种用于离子化气体的X射线源,其中在真空腔室中具有场发射尖端阵列,其特征在于具有场发射尖端(19)的场发射尖端阵列(1)布置在真空区域(3b)内,所述真空区域(3b)由金属罩(3)和金属载板(4)的一部分包封,其中绝缘主体(5)以真空密封方式与金属载板(4)齐平地引入金属载板(4),其中所述场发射尖端阵列(1)相对于所述载板(4)电绝缘布置在电极(6)上、金属载板(4)内的绝缘主体(5)上或上方,所述电极(6)穿透通过绝缘主体(5),所述场发射尖端阵列(1)与电极(6)电连接并且接线作为连接至高压源的阴极,并且其中对于X射线辐射是透明的透射窗(2)布置在居中于所述场发射尖端阵列(1)上方的所述罩(3)中,并且其中所述罩(3)接线作为阳极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾斯森技术有限责任公司,未经艾斯森技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680022670.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code