[发明专利]加热装置、基板加热装置及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680022850.9 申请日: 2016-09-16
公开(公告)号: CN108076683B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 佐佐木雅夫;吉林和俊;佐藤贤司;村田宪三 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: H05B7/144 分类号: H05B7/144;H01L21/263;H01L21/324
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 杨小明
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及加热装置、基板加热装置及半导体装置之制造方法。加热装置,包括:加热器、电子反射板、布置于所述加热器与所述电子反射板之间的丝极、对所述丝极的第1端子与第2端子之间供应交流电压而使热电子从所述丝极放出的加热电源、对所述丝极与所述加热器之间供应加速电压的加速电源、和被布置为形成连接所述电子反射板与所述加热电源的路径的电阻器。
搜索关键词: 加热 装置 半导体 制造 方法
【主权项】:
1.一种加热装置,包括:加热器(110)、电子反射板(120)、被布置于所述加热器(110)与所述电子反射板(120)之间的丝极(130)、被配置为对所述丝极(130)的第1端子(A)与第2端子(B)之间供应交流电压而使热电子从所述丝极(130)放出的加热电源(140)、以及被配置为对所述丝极(130)与所述加热器(110)之间供应加速电压的加速电源(150),并且所述加热装置包含:被布置为形成连接所述电子反射板(120)与所述加热电源(140)的路径(170)的电阻器(160)。
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