[发明专利]工艺、结构以及超电容器有效
| 申请号： | 201680023499.5 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN107848804B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 穆赫辛·艾哈迈德;弗朗西斯卡·亚科皮 | 申请（专利权）人： | 悉尼科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;H01G11/32;H01G11/26;H01G11/34;H01G11/36;H01G11/86;C23C16/00;C23C16/26;C23C16/32;B32B23/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于形成高表面积石墨烯结构的工艺，该工艺包括：将至少一种金属沉积在碳化硅的表面上；加热至少一种金属和碳化硅，以引起金属中的至少一种与碳化硅的一部分反应，以形成硅化物区和石墨烯，所述硅化物区延伸到碳化硅的未反应的部分中，所述石墨烯被设置在硅化物区和碳化硅的未反应的部分之间；以及除去硅化物区，以提供具有高度不规则的表面和石墨烯的表面层的碳化硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 结构 以及 电容器 | ||
【主权项】：
一种用于形成高表面积石墨烯结构的工艺，所述工艺包括：将至少一种金属沉积在碳化硅的表面上；加热所述至少一种金属和所述碳化硅，以引起所述金属中的至少一种与所述碳化硅的一部分反应，以形成硅化物区和石墨烯，所述硅化物区延伸到所述碳化硅的未反应的部分中，所述石墨烯被设置在所述硅化物区和所述碳化硅的所述未反应的部分之间；以及除去所述硅化物区，以提供具有高度不规则的表面和石墨烯的表面层的碳化硅结构。
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