[发明专利]控制植入工艺的装置及离子植入机

摘要

揭示一种控制植入工艺的装置及一种离子植入机。所述控制植入工艺的装置包括：束扫描器，在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形，以产生离子束沿扫描方向的扫描，其中给定波形包括多个扫描区段，其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率；电流探测器，拦截位于基板区之外的所述离子束并记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流；以及扫描调整组件，耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定：所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值；以及基于所述离子束对于所述多个波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率。

主权项

1.一种控制植入工艺的装置，包括：束扫描器，在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形，以产生离子束沿扫描方向的扫描，其中所述多个不同波形中的给定波形包括多个扫描区段，其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率；电流探测器，被安置成拦截位于基板区之外的所述离子束并用以记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流；扫描调整组件，耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定：所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值；以及当以所述非均匀扫描模式运行时，基于所述离子束对于所述多个不同波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率；以及在所述基板区中保持基板的基板平台，其中所述阈值被表示为HW＝D+C，其中HW等于所述离子束沿所述离子束的所述扫描方向的半宽，D等于在对所述基板进行扫描期间所述基板的边缘与所述电流探测器之间的最小距离，且C代表当所述基板的所述边缘被定位在距所述电流探测器的所述最小距离时所述基板的所述边缘与将被所述离子束处理的目标区域的边缘之间的距离。