[发明专利]替换控制栅极的方法及设备

摘要

本发明揭示存储器结构及用于形成此类结构的方法。实例方法通过以下操作形成存储器单元的垂直串：在电介质层材料与氮化物层材料的交错层中形成开口；在所述开口的侧壁及所述开口中的凹槽上方形成电荷存储材料，以在所述凹槽内形成相应电荷存储结构。随后，并与浮动栅极结构的形成分开，去除剩余氮化物层材料的至少一部分以产生控制栅极凹槽，其各自邻近于相应电荷存储结构。控制栅极形成在每一控制栅极凹槽中，且所述控制栅极通过电介质结构与所述电荷存储结构分离。在一些实例中，这些电介质结构也与所述电荷存储结构分开形成。

主权项

一种方法，其包括：形成开口，所述开口延伸穿过至少部分由氮化物层材料层垂直分离的多层电介质层材料，并且具有至少部分由此类层界定的侧壁；在环绕所述开口的所述氮化物层材料层中形成横向凹槽；在所述开口的所述侧壁上方及所述凹槽中形成电荷存储结构材料，以在所述氮化物层材料层中的所述横向凹槽内形成电荷存储结构；在所述开口的所述侧壁上方形成电介质材料；在所述开口内的所述电介质材料的至少一部分上方形成柱材料；以及形成控制栅极，其中所述控制栅极的所述形成包括，去除所述氮化物层材料的至少部分以产生邻近所述电荷存储结构中的每一者的相应控制栅极凹槽；在所述控制栅极凹槽中的每一者中形成电介质结构，其中所述电介质结构与所述电荷存储结构分开形成；以及在所述控制栅极凹槽中的每一者中形成控制栅极，其中所述控制栅极中的每一者通过所述电介质结构的相应电介质结构与所述电荷存储结构的邻近电荷存储结构分离。