[发明专利]提高漏极电流的MOSFET和存储单元有效
| 申请号： | 201680024694.X | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107592943B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 韩珍优;于妮尔图·维佳佳;子威·霍巴赫;迪内希·梅许瓦 | 申请（专利权）人： | 芝诺半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/761;H01L21/762;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 高丽萍 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文介绍了一个金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)，通过MOSFET固有的双极面结型电晶体(BJT)提高导通电流。本文还提供了MOS电晶体的工作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 电流 mosfet 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，设计作为半导体记忆体件或提高导通漏极电流的电晶体使用，所述半导体器件包括：一个衬底，具有p型导电类型和n型导电类型中选择的第一导电类型；一个埋层，具有所述p型导电类型和所述n型导电类型中选择的第二导电类型且与所述第一导电类型不同；一个基板，具有所述第一导电类型；一个源极区域和一个漏极区域，各具有所述第二导电类型并由所述基板分离；以及一个栅极，位于所述源极区域和所述漏极区域中间；其中所述半导体器件被设计作为具有至少两种稳态的所述记忆体件使用，或作为提高导通漏极电流但断态漏极电流保持不变的所述电晶体使用，取决于所述半导体器件施加的偏压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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