[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板有效

专利信息
申请号: 201680025071.4 申请日: 2016-05-12
公开(公告)号: CN107531576B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C04B35/115 分类号: C04B35/115;G01N23/207;G02B1/02
代理公司: 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 代理人: 王轶;郑雪娜
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5%以上的面,该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ=20°~70°的范围内的X射线衍射图谱,利用Lotgering法而求出的,所述氧化铝烧结体包含Mg、F,Mg/F的质量比为0.05~3500,Mg的含量为30~3500质量ppm,结晶粒径为15~200μm,在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时,直径0.2~0.6μm的气孔为250个以下,直径0.2~0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时,在波长450nm~1000nm处的直线透过率为60%以上。亦即,本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5%以上、直线透过率也较高,所以透明性优异。
搜索关键词: 氧化铝 烧结 光学 元件 基底
【主权项】:
一种氧化铝烧结体,其具有c晶面取向度为5%以上的面,该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ=20°~70°的范围内的X射线衍射图谱,利用Lotgering法而求出的,所述氧化铝烧结体包含Mg、F,Mg/F的质量比为0.05~3500,Mg的含量为30~3500质量ppm,结晶粒径为15~200μm,在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时,直径0.2~0.6μm的气孔为250个以下,直径0.2~0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社,未经日本碍子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680025071.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top