[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板有效
申请号: | 201680025071.4 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN107531576B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C04B35/115 | 分类号: | C04B35/115;G01N23/207;G02B1/02 |
代理公司: | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王轶;郑雪娜 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5%以上的面,该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ=20°~70°的范围内的X射线衍射图谱,利用Lotgering法而求出的,所述氧化铝烧结体包含Mg、F,Mg/F的质量比为0.05~3500,Mg的含量为30~3500质量ppm,结晶粒径为15~200μm,在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时,直径0.2~0.6μm的气孔为250个以下,直径0.2~0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时,在波长450nm~1000nm处的直线透过率为60%以上。亦即,本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5%以上、直线透过率也较高,所以透明性优异。 | ||
搜索关键词: | 氧化铝 烧结 光学 元件 基底 | ||
【主权项】:
一种氧化铝烧结体,其具有c晶面取向度为5%以上的面,该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ=20°~70°的范围内的X射线衍射图谱,利用Lotgering法而求出的,所述氧化铝烧结体包含Mg、F,Mg/F的质量比为0.05~3500,Mg的含量为30~3500质量ppm,结晶粒径为15~200μm,在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时,直径0.2~0.6μm的气孔为250个以下,直径0.2~0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。
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