[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201680025480.4 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN107533952B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 小林德弘;石川修;目黑贤二;若林大士;大西裕之 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、通过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。由此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及装置制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种贴合式SOI晶圆的制造方法，用以制造将贴合晶圆透过绝缘膜而贴合于基底晶圆的贴合式SOI晶圆，该贴合晶圆及该基底晶圆皆以单晶硅所构成，该贴合式SOI晶圆的制造方法至少包含下列步骤：堆积多晶硅层于该基底晶圆的贴合面侧；研磨该多晶硅层的表面；于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜；透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合；以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中，作为该基底晶圆，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，其中，于堆积该多晶硅层的步骤中，更具有于该基底晶圆堆积该多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，其中，该多晶硅层的堆积是以1050℃以上、1200℃以下的温度进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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