[发明专利]具有可控膜应力的在硅衬底上沉积电荷捕获多晶硅膜的方法

摘要

提供了绝缘体多层上半导体结构。所述多层包括高电阻率单晶半导体处理衬底、纹理化的氧化物、氮化物或氧氮化物层、多晶硅层、电介质层和单晶半导体器件层。所述多层结构以减少晶片弯曲的方式而制备。

主权项

一种制备多层结构的方法，所述方法包括：形成与单晶半导体处理衬底的前表面界面接触的半导体氧化物层、半导体氮化物层或半导体氮氧化物层，所述单晶半导体处理衬底包括：两个主要的一般地平行的表面，其中一个表面是所述单晶半导体处理衬底的前表面而另一个表面是所述单晶半导体处理衬底的后表面，连接所述单晶半导体处理衬底的前表面和后表面的周向边缘，在所述单晶半导体处理衬底的前表面和后表面之间的中心平面，以及在所述单晶半导体处理衬底的前表面和后表面之间的体区域，其中所述单晶半导体处理衬底具有至少约500欧姆‑厘米的最小体区电阻率；在包括选自氢气、氯化氢、氯气和其任何组合的气体的环境气氛中，对包括与其前表面界面接触的所述半导体氧化物层、所述半导体氮化物层或所述半导体氮氧化物层的所述单晶半导体处理衬底进行退火；在与所述单晶半导体处理衬底的前表面界面接触的所述半导体氧化物层、所述半导体氮化物层或所述半导体氮氧化物层上沉积多晶硅层，其中所述多晶硅层通过化学气相沉积而沉积；和将单晶半导体施主衬底的前表面上的电介质层接合到所述单晶半导体处理衬底的所述多晶硅层，以从而形成接合结构，其中，所述单晶半导体施主衬底包括两个主要的一般地平行的表面，其中一个表面是所述半导体施主衬底的前表面而另一个表面是所述半导体施主衬底的后表面，连接所述半导体施主衬底的前表面和后表面的周向边缘，以及在所述半导体施主衬底的前表面和后表面之间的中心平面。