[发明专利]使用双频电容耦合等离子体(CCP)以EUV抗蚀剂进行的沟槽和孔图案化

摘要

公开了一种用于蚀刻在基片上的抗反射涂层(604)的方法。基片(600)包括有机层(606)、设置在有机层(606)上方的抗反射涂层(604)以及设置在抗反射涂层(604)上方的光致抗蚀剂层(602)。该方法包括将光致抗蚀剂层(602)图案化以露出抗反射涂层(604)的非掩模部分；以及在抗反射涂层(604)的非掩模部分和图案化的光致抗蚀剂层(602)的非侧壁部分上选择性地沉积(608)含碳层(609)。该方法还包括蚀刻(610)基片(600)，以去除含碳层(609)并且去除抗反射涂层(604)的非掩模部分的部分厚度，而不减小光致抗蚀剂层(602)的厚度。该方法还包括重复(612)选择性沉积(608)和蚀刻(610)，至少直到抗反射涂层(604)的非掩模部分的完整厚度被去除为止，以露出下面的有机层(606)。

主权项

一种用于蚀刻穿透基片上的抗反射涂层的方法，包括：在所述基片上形成膜堆叠，所述膜堆叠包括：下面的有机层；抗反射涂层，其设置在所述下面的有机层上方；以及光致抗蚀剂层，其设置在所述抗反射涂层上方；使所述光致抗蚀剂层图案化，以露出所述抗反射涂层的非掩模部分；在所述抗反射涂层的非掩模部分和图案化的光致抗蚀剂层的非侧壁部分上选择性地沉积含碳层；蚀刻所述膜堆叠，以去除所述含碳层并且去除所述抗反射涂层的非掩模部分的部分厚度，而不减小所述光致抗蚀剂层的厚度；以及重复所述选择性沉积和蚀刻，至少直到所述抗反射涂层的非掩模部分的完整厚度被去除为止，以露出所述下面的有机层。