[发明专利]用于静态随机存取存储器(SRAM)的老化传感器有效
| 申请号： | 201680025900.9 | 申请日： | 2016-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107533861B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | V·纳拉亚南;A·D·帕克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C29/04;G11C29/12;G11C29/50;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种静态随机存取存储器SRAM，其包含第一位单元及第二位单元。所述第一位单元包含老化的晶体管且所述第二位单元包含未老化的晶体管。老化传感器耦合于所述第一位单元与所述第二位单元之间以确定与所述老化的晶体管相关联的老化量。在一个方面中，基于和所述老化的晶体管相关联的电压或电流与和所述未老化的晶体管相关联的电压或电流之间的差而确定与所述老化的晶体管相关联的所述老化量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静态 随机存取存储器 sram 老化 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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