[发明专利]键合半导体结构的基于蚀刻停止区的制作

摘要

公开了在很多器件制作应用中免除对SOI晶片的需求的键合半导体器件结构和器件结构制作过程。在一些示例中，在体半导体晶片上的有源器件结构的制作期间原位形成蚀刻停止层。蚀刻停止层使有源器件结构能够在有源器件结构键合到操纵晶片的层转移过程中与所述体半导体晶片分开。这些示例在避免SOI晶片的高成本的同时，实现了高性能和低功率半导体器件(例如，完全或部分耗尽沟道或者沟道晶体管)的制造。在一些示例中，栅极在自对准过程中遮掩蚀刻停止层注入，以在不需要单独的掩模层的情况下，在栅极下建立完全耗尽沟道并且在源极区和漏极区中建立更深的注入。

主权项

1.一种用于半导体器件的方法，包括：相对于包括衬底的体半导体晶片的顶部部分构建晶体管，所述顶部部分包括半导体表面，其中，所述构建包括构造所述半导体表面上的所述晶体管的栅极，形成所述晶体管的源极区和漏极区，以及对所述晶体管的所述源极区和所述漏极区退火；在所述晶体管上形成绝缘体；在构造所述栅极之后，但是在形成所述绝缘体之前，在所述半导体晶片的所述顶部部分中注入蚀刻停止掺杂物，以形成所述晶体管之下的蚀刻停止区；在形成所述绝缘体之后，将操纵晶片的顶表面键合至所述半导体晶片；以及在所述键合之后，移除所述半导体晶片的底部衬底部分，其中，所述移除包括：将所述半导体晶片的所述底部衬底部分蚀刻到所述蚀刻停止区以形成在所述源极区和所述漏极区之间延伸的凹陷。