[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201680027058.2 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN107532328B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 关和明;龟井一人;楠一彦;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造方法，其为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其具备：将容纳于坩埚的Si‑C溶液的原料熔融、生成所述Si‑C溶液的生成工序，和使安装于籽晶轴下端的SiC晶种与所述Si‑C溶液接触、在所述SiC晶种的晶体生长面生长所述SiC单晶的生长工序，所述生长工序中，将所述Si‑C溶液升温的同时使所述SiC单晶生长。
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